Oxford Instruments/牛津仪器生产集成系统

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生产集成系统
生产集成系统

... 500 kg。隔板面积从1 m² (专门用于过程优化) 到超过 40 m²,视系统类型而定。 我们的 Epsilon DS 冻干系统的特点为: 压力室>2.5巴的蒸气灭菌(SIP) 液压/气动门锁系统 不锈钢门(可选插槽门) 自动过滤器测试(FIT) Siemens S7 控制系统,配备 ...

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Martin Christ Gefriertrocknungsanlagen
制药业生产集成系统
制药业生产集成系统
FlexPro 50

用于生物技术产品和药品的创新和高度灵活的FlexPro 50生产系统基本上由三部分组成:Ziel公司的隔离器系统和Groninger公司的精密灌装机和旋盖机模块,可选择增加Martin Christ冷冻干燥器,包括创新的LyoShuttle装卸系统。FlexPro 50的设计是通过互换预制模块,在药品生产中具有极大的灵活性。机器模块根据 ...

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Martin Christ Gefriertrocknungsanlagen
生产集成系统
生产集成系统
QbCon®

... 从批次生产到连续生产的模式变化要求对所使用的生产过程以及所需的自动化技术采取新的方法。 主要由美国食品和药物管理局(FDA)推动的提高质量的综合举措,强烈关注固体药物生产的连续制造。 利用PAT更密切地监测生产过程的能力,并因此持续生产高质量的产品,是这一倡议的核心内容。 ...

生产集成系统
生产集成系统
FlexAL

FlexAL系统可提供远程等离子体原子层沉积(ALD),这为纳米结构和器件的工程设计提供了一系列新的灵活性和可行性。 查看全文 > 在同一设备中可灵活使用远程等离子体与热ALD 集群式配置保证始终于真空下传送衬底 盒式对盒式操作可提高产能以适于量产 对材料和气体/液体源的选择具有更大的灵活性 等离子体ALD可进行低温工艺 使远程等离子体以确保低损伤 通过配方驱动的软件界面实现可控的和可重复的工艺 可处理高达200mm的晶圆 ALD产品家族涵盖的系列设备可以满足学术界 ...

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Oxford Instruments/牛津仪器
生产集成系统
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PlasmaPro 100 Nano CVD

... 更佳的均匀性以及灵活的温度范围, 最高可达1200°C 700°C、800°C或1200°C工作台可供选择 样品尺寸可达200mm 真空传送腔——快速更换样品 壁设计并辅以可均匀输送气体/液体源前驱体的喷头 可选的液体/固体源前驱体输送系统,用于生长MOS2、MOSe2和其它TMDCs材料 二维材料 生长 MoS2 生长 石墨烯 生长 一维材料 生长 碳纳米管(CNT)生长 升级/配件 气柜 ...

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磁性生产集成系统
磁性生产集成系统
PlasmaPro 100 Polaris

... 我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。 PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精湛的刻蚀效果提供了智能解决方案,使您在行业中能保持竞争优势。 高效的刻蚀速率 低购置成本 专为腐蚀性的化学成分而设计 出色的刻蚀均匀性 适用于蓝宝石的静电压盘技术 蓝宝石和硅上的GaN 高导通抽气系统 可与其它PlasmaPro系统集成 PlasmaPro ...

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生产集成系统
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PlasmaPro 800 PECVD

... /PE工艺涵盖了从封装好的芯片和裸芯片刻蚀到整片300mm晶圆刻蚀 高质量沉积的PECVD SiNx和SiO2 ,适用于光子学、介电层钝化和诸多其它领域 SiO2,SiNx和石英刻蚀 金属和聚酰亚胺有机物刻蚀 用于高亮度LED生产的钝化沉积 III-V族刻蚀工艺

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PlasmaPro 100 PECVD

... 电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。 高质量的薄膜,高产量和出色的均匀性 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆 成本低且易于维护 电阻丝加热电极,最高温度可达400°C或1200°C 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺 高质量PECVD沉积氮化硅 和 二氧化硅 用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途 用于高亮度LED ...

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生产集成系统
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PlasmaPro 800 RIE

PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统,该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻(RIE)工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的批量以及300mm晶圆的工艺。 高性能工艺 准确的衬底温度控制 准确的工艺控制 成熟的300mm单晶圆失效分析工艺 PlasmaPro 800具有460mm直径的工作台,拥有处理整片的300mm晶圆或批量43 ...

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生产集成系统
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PlasmaPro 100 Estrelas

PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻(DSiE)领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统(MEMS)、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。 光滑侧壁工艺 高刻蚀速率腔刻蚀 高深宽比工艺 锥形通孔刻蚀 广泛的应用领域 机械或静电压盘 加热内衬 ...

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PlasmaPro 100 Cobra

... 二氧化硅和石英刻蚀 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆 沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

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PlasmaPro 100 ALE

我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通过打造质量满足生产需求。 PlasmaPro 100 ALE 的特点: 准确的刻蚀深度控制; 光滑的刻蚀表面 低损伤工艺 数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD 高选择比 能加工最大200mm的晶圆 高深宽比(HAR ...

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PlasmaPro 80 ICP RIE

... 可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆 用于高亮度LED生产的硬掩模的沉积和刻蚀 小型系统 —— 易于安置 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制 高导通的径向(轴对称)抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率 增加<500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度 关键部件容易触及 ...

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