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... 从批次生产到连续生产的模式变化要求对所使用的生产过程以及所需的自动化技术采取新的方法。 主要由美国食品和药物管理局（FDA）推动的提高质量的综合举措，强烈关注固体药物生产的连续制造。 利用PAT更密切地监测生产过程的能力，并因此持续生产高质量的产品，是这一倡议的核心内容。 - 更高的病人安全性 - 降低成本 - 更好地了解过程 - 优化的过程控制 作为医药固体生产设备和工艺方面最具创新性的技术公司，L.B. Bohle公司为连续生产提供全面的解决方案，并具有较高的开发速度。 模块化设计。直接压缩、湿法制粒和干法制粒 QbCon®连续生产系统可以生产从粉末到包衣片剂的药物固体，产量从5到25公斤/小时。QbCon®以其模块化设计脱颖而出，确保了客户的最大灵活性和效率。 QbCon®可以实现三个生产过程。 连续直接压缩 连续湿法制粒 连续干法制粒 ...
... 所有的系统和设备都可满足对于使用材料和功能安全的最严格的要求，他们是可扩展的，可为未来的应用升级。先进的自动化概念简化了用户的操作，并确保完全可重现的干燥过程。我们的专家活跃在各大协会和工作组中，包括 ISPE 和德国 PAT 组，因此熟悉严格的法规要求，特别是制药和生物技术行业的要求。 我们与用户合作，为极为广泛的任务和工艺要求设计系统和装载概念并在制造设计中实施它们。 Christ 开发的 双室 设计将凝冰器直接放在干燥室的下面。尺寸有很多选择，凝冰器容量从12 kg到超过500 ...
... FlexAL系统可提供远程等离子体原子层沉积（ALD），这为纳米结构和器件的工程设计提供了一系列新的灵活性和可行性。 查看全文 > 在同一设备中可灵活使用远程等离子体与热ALD 集群式配置保证始终于真空下传送衬底 盒式对盒式操作可提高产能以适于量产 对材料和气体/液体源的选择具有更大的灵活性 等离子体ALD可进行低温工艺 使远程等离子体以确保低损伤 通过配方驱动的软件界面实现可控的和可重复的工艺 可处理高达200mm的晶圆 ALD产品家族涵盖的系列设备可以满足学术界、企业研发和小规模生产的多种需求。 牛津仪器有大量的工艺储备，并且还在不断开发新的工艺。我们为所有的ALD设备提供终身免费的、延续不断的工艺支持，我们还将为您提供关于开发新材料的建议，同时继续与您共享包括新工艺配方在内的新的ALD工艺进展。 气体/液体源前驱体模式上 ...
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... 用于生长1D / 2D纳米材料和异质结构的CVD / PECVD工具。 PlasmaPro 100 Nano通过在线催化剂活化和严格的工艺控制，实现纳米材料的高性能生长。 更佳的均匀性以及灵活的温度范围， 最高可达1200°C 700°C、800°C或1200°C工作台可供选择 样品尺寸可达200mm 真空传送腔——快速更换样品 壁设计并辅以可均匀输送气体/液体源前驱体的喷头 可选的液体/固体源前驱体输送系统，用于生长MOS2、MOSe2和其它TMDCs材料 二维材料 ...
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... 高性能工艺 准确的衬底温度控制 准确的工艺控制 成熟的300mm单晶圆失效分析工艺 PlasmaPro 800具有460mm直径的工作台，拥有处理整片的300mm晶圆或大批量43 x 50mm（2”）晶圆的能力， 可提供全套量产解决方案。PlasmaPro 800是公认的市场前列产品。 为化合物半导体、光电子和光子学应用提供了更为灵活的工艺，PlasmaPro 800 可提供： 大型电极 - 低成本 刻蚀终点监测 - 可靠性和可维护性俱佳 通过激光干涉仪与/或发射光谱进行终点监测 ...
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... 设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。 高质量的薄膜，高产量和出色的均匀性 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆 成本低且易于维护 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺 高质量PECVD沉积氮化硅 和 二氧化硅 用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途 用于高亮度LED ...
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... PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的批量以及300mm晶圆的工艺。 高性能工艺 准确的衬底温度控制 准确的工艺控制 成熟的300mm单晶圆失效分析工艺 PlasmaPro 800具有460mm直径的工作台，拥有处理整片的300mm晶圆或批量43 x 50mm（2”）晶圆的能力， 可提供全套量产解决方案。PlasmaPro ...
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... PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。 光滑侧壁工艺 高刻蚀速率腔刻蚀 高深宽比工艺 锥形通孔刻蚀 广泛的应用领域 机械或静电压盘 加热内衬 改善重复性 延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC） PlasmaPro ...
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... PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行工艺，具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力，该工艺模块可提供具有高度均匀，高产量和高精度的工艺。 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 快速更换到不同尺寸的晶圆工艺 购置成本低且易于维护 紧密的设计，布局灵活 实时清洗和终点监测 我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro ...
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... 我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。 PlasmaPro 100 ALE 的特点: 准确的刻蚀深度控制； 光滑的刻蚀表面 低损伤工艺 数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD 高选择比 能加工最大200mm的晶圆 高深宽比（HAR）刻蚀工艺 非常适于刻蚀纳米级薄层 III-V族材料刻蚀工艺 固体激光器InP刻蚀 VCSEL ...
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... PlasmaPro 80 ICP是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。 直开式设计允许快速装卸晶圆 出色的刻蚀深度和刻蚀速率控制 出色的晶圆温度均匀性 晶圆最大可达200mm 购置成本低 符合半导体行业 S2 / S8标准 III-V族材料刻蚀工艺 硅 ...
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... PlasmaPro 100 RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 快速更换不同尺寸晶圆 购置成本低且易于维护 出色的均匀性，高产量和高工艺精度 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C III-V族材料刻蚀工艺 固体激光器 InP刻蚀 VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀 射频器件低损伤 GaN刻蚀 类金刚石 （DLC） 沉积 二氧化硅和石英刻蚀 用特殊配置的PlasmaPro ...
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