生产集成系统 PlasmaPro 100

PlasmaPro 100 RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 快速更换不同尺寸晶圆 购置成本低且易于维护 出色的均匀性，高产量和高工艺精度 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C III-V族材料刻蚀工艺 固体激光器 InP刻蚀 VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀 射频器件低损伤 GaN刻蚀 类金刚石 （DLC） 沉积 二氧化硅和石英刻蚀 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆 通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底 在维持低气压的同时，允许使用较高的气体流量 电极的温度范围宽（-150°C至+ 400°C） 可通过液氮，液体循环制冷机制冷或电阻丝加热 —— 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换 循环制冷机单元控制电极温度 出色的衬底温度控制能力 高抽气能力 —— 提供了更宽的工艺气压窗口 晶圆压盘与背氦制冷 保证更好的晶片温度控制