FIB/SEM显微镜 NX2000

SEMFIB检查

NX2000 是专为半导体应用（利用 KLARF 坐标导入进行缺陷分析、TEM 薄片提取、器件开发）而优化的 FIB-SEM。样品台的 X、Y 行程为 205 x 205 毫米，甚至可以在不旋转样品的情况下对 200 毫米晶片进行全表面处理。垂直安装的 Ga FIB 可在 30 kV 电压下提供高达 100nA 的离子电流。FE-SEM 柱配备了冷场发射器。