HITACHI实验室显微镜

倍率: 20 unit - 2,000,000 unit
空间分辨率: 0.9, 0.6 nm

随着快速数据采集和数据处理技术的发展，电子显微镜进入了一个不仅重视数据质量，而且注重其采集过程的时代。SU8700作为一款面向新时代的SEM，在日立电镜贯有的高图像质量和高稳定性的基础上，增加了包括自动获取数据等高通量的功能。 超高分辨观察和超强分析能力 日立的高亮度肖特基场发射电子枪可同时支持超高分辨观察和快速微束分析。在不使用样品台减速的情况下，仅用0.1 kV的低加速电压仍可进行高分辨观察，适应更多应用场景。同时，可搭配多种新型探测器和其他丰富的选配项，满足更多的观测需求。 ...

倍率: 6, 8,000,000 unit
空间分辨率: 15, 4 nm

... 凭借全新设计的电子光学系统和高灵敏度检测器，可在加速电压20 kV下实现4.0 nm的分辨率。全新开发的用户界面，具有亮度和对焦自动调节功能，可以在短时间内进行各种观察。此外，还搭载了全新的导航功能“SEM MAP”，这个功能可弥补电子显微镜上难以找准视野的缺点，实现最直观的视野移动。 尽管是可放置在桌面上的小巧紧凑型*1电子显微镜，仍可实现4.0 nm的分辨率 凭借独特的高灵敏度二次电子、背散射电子检测器、低真空检测器（UVD*2），可在低加速/低真空下观察时实现最高的画质 全新的用户界面，无论用户的熟练程度如何， ...

倍率: 10 unit - 250,000 unit
长度: 617 mm

我们以“更高画质、更易于使用、更易于观察”为理念，开发出TM4000系列。在此基础上，我们又推出功能更为多样的TM4000Ⅱ系列。 为您提供全新的观察和分析应用。 操作简单且快捷 观察图像只需 3 分钟。 可快速观察图像，并导出测试报告。. Report Creator可让您轻松制作报告 只需选择图像和模板，就可以制作Microsoft Word、Excel、PowerPoint格式的报告 即便是绝缘物样品，也无需预处理，就可直接进行观察。 “荷电减轻模式”可抑制荷电现象 对于容易产生荷电的样品，可使用“荷电减轻模式”，在抑制荷电的状态下进行观察。 只需用鼠标在软件上点击即可切换到“荷电减轻模式”。 可在低真空的条件下进行二次电子像（表面形状）观察。 无需预处理，也可以观察绝缘物和含水、含油样品的表面 不仅是观察传统的导电性样品，还可以在无预处理的条件下观察绝缘物和含水、含油样品。可快速进行二次电子像与背散射电子像之间的切换。 高感度低真空二次电子检测器 采用高感度低真空二次电子检测器(UVD)。通过检测由于电子线与残留气体分子之间的碰撞而产生的光，可以观察带有二次电子信息的图像。此外，通过控制该检测器，来检测电子照射所产生的光，可以获得CL信息（UVD-CL：带有CL信息的图像）。 TM4000Ⅱ/TM4000Plus ...

倍率: 20 unit - 8,000,000 unit
空间分辨率: 0.08, 0.1 nm

通过单极片实现0.078 nm的STEM空间分辨率和高样品倾斜度、高立体角EDX。 透射电子显微镜除了延续了日立公司配备的球面像差校正器的功能、自动校正功能，像差校正后的SEM图像和对称Dual SDD技术等特点。还融汇了透射电子显微镜HF系列中所积累的技术。 对于包括高端用户在内的广泛用户，我们提供亚Å级空间分辨率和高分析性能以及更多样化的观察和分析方法。 特点 标配日立生产的照射系统球差校正器（附自动校正功能） 搭载具有高辉度、高稳定性的冷场FE电子枪 镜体和电源等的高稳定性使机体的性能大幅度提升 ...

倍率: 1,000,000, 800,000, 600,000 unit
空间分辨率: 0.19, 0.14, 0.2 nm

"RuliTEM"120 kV透射电子显微镜系列，包含配备高衬度透镜，实现大视野、高对比度观察的HT7800和配备高分辨率透镜的HT7830。 全新操作可应对日常工作。 我们将竭诚为您提供合适的TEM解析解决方案。 特点 日立的双隙物镜设计，支持低倍率下的大视野高反差观察与高分辨率观察 凭借在明亮环境中的数字化操作环境和各种自动功能，从初学者到熟练者均可操作 通过全新设计的"Image Navigation"功能，可轻松搜寻视野和拍摄图像 配备全自动图像拼接功能 ...

倍率: 5 unit - 600,000 unit
空间分辨率: 0.9, 2.5 nm

... 可变压力模式允许观察非导电样品，无需额外准备。自动对齐功能加快了设置速度，使各级操作人员都能获得高质量的结果。 自动工作流程提高效率 - EM Flow Creator 可自动执行重复性任务，减少工作量。可定制的观察配方可确保以最少的投入获得一致、高质量的结果，是注重效率的实验室的理想选择。 ...

倍率: 0 unit
空间分辨率: 4, 60 nm

... ，配有冷场或肖特基场发射器和双静电-磁场物镜：磁浸模式用于高分辨率成像，无磁场模式用于同时进行 FIB 操作 - Ga+ FIB 柱具有高达 100nA 的离子电流和良好的低 kV 特性，可实现快速 FIB 切割和低损伤 TEM 片表面 - 大型样品室，配有 155x155mm2 样品台和许多用于选配附件的接入点。气闸可用于直径为 150 毫米的样品和惰性气体传输（"空气保护"）。 - 检测系统配有 3 个柱内检测器（2 个反向散射检测器、1 ...

空间分辨率: 1.6, 2.1, 4 nm

... 在这一独特的系统中，Ga-FIB 柱和 FE-SEM 柱互成直角。这种配置非常适合大体积（生物组织、具有大晶粒结构的材料、半导体元件等）的三维分析应用，即使在视野非常宽的情况下也不会失真，并具有最高的分辨率。三维 EBSD 分析还可以在样品完全静止的情况下进行，即在 FIB 切割和 EBSD 层分析之间样品不会移动。 ...

空间分辨率: 2.8, 60, 4, 3.5 nm

... NX2000 是专为半导体应用（利用 KLARF 坐标导入进行缺陷分析、TEM 薄片提取、器件开发）而优化的 FIB-SEM。样品台的 X、Y 行程为 205 x 205 毫米，甚至可以在不旋转样品的情况下对 200 毫米晶片进行全表面处理。垂直安装的 Ga FIB 可在 30 kV 电压下提供高达 100nA 的离子电流。FE-SEM 柱配备了冷场发射器。 ...