SEM电子显微镜 SU9600

STEMFE-SEM电子扫描

概述
SU9600 是一款模块化、透射优化的扫描电子显微镜，适用于纳米材料、二维材料和半导体的高级分析。该机将超高分辨率SEM（UHR-SEM）与分析型STEM功能集成于一体化高稳定性平台，支持可选的4D-STEM、EELS和纳米EDS模块以实现多模态研究。

标语
用于纳米材料高级分析的透射优化型SEM

要点

• 在单一稳定平台上集成分析型STEM与UHR-SEM功能
• 10 V至30 kV范围内的超高分辨率成像，适用于表面和结构研究
• 冷场发射枪（CFE）、全浸入物镜和类似TEM的样品台，实现领先分辨率（0.34 nm 保证，约0.2 nm 可达）

功能与优势

• 具备能量与角度过滤的反射与透射电子检测
• 可将表面信息（SE/BSE）与透射电子信息（BF/ADF/EELS/4D-STEM）相关联分析
• 通过大固角无窗EDS实现亚纳米级元素分析
• EELS与4D-STEM可用于研究电子结构、键合与应变；CFE 提高了 EELS 的能量分辨率
• 可选快速直接电子4D-STEM相机及投影镜头，支持DPC、ptychography、应变与相位成图
• 样品适配灵活：可选低温持样器、MEMS持样器、减速持样器及TEM双倾角持样器

应用

• 纳米材料：纳米尺度元素分布图、晶格与晶粒成像、纳米线元素分布
• 薄膜：表面形貌与晶粒结构分析、截面取向分析
• 元素分析：高分辨率EDS映射与低kV EELS用于氧化态与电子结构研究
• 半导体：用于器件分析的高分辨率成像与透射电子研究

备注

• 标注 * 的功能为可选项（4D-STEM、EELS、nano-EDS、持样器）。
• 某些高级模式（如减速持样器/上方探测器）为可选，可能影响着陆电压性能。

规格 / 技术参数

• SE 图像分辨率：0.4 nm @ 30 kV；1.0 nm @ 1 kV；1 kV 着陆电压时 0.6 nm (*1)
• STEM 图像分辨率：0.34 nm @ 30 kV（晶格像）(*2)
• 加速电压：0.5 至 30 kV
• 着陆电压 (*1)：0.01 至 20 kV
• 电学图像偏移：最高 ±5 µm（样品高度 = 0.0 mm）
• 台阶行程：X: ±4.0 mm；Y: ±2.0 mm；Z: ±0.3 mm；T（倾斜）：±40°
• 样品尺寸 - 平板样品台（最大）：5.0 mm × 9.5 mm × 3.5 mm（H）
• 样品尺寸 - 断面样品台（最大）：2.0 mm × 6.5 mm × 5.0 mm（H）
• 电子源：冷场发射（高亮度、低色差），可选 NEG 以改善 EELS 性能
• 探测器与分析：反射与透射电子检测、能量/角度过滤、大固角无窗EDS、EELS、4D-STEM（可选）、直接电子4D-STEM相机（可选）
• 注：*1 使用可选减速持样器和上方探测器时。*2 可选项。