为半导体研发、故障分析和纳米污染物识别增加了 300 毫米的取样通道
Dimension IconIR300™ 大样品纳米红外系统可为半导体应用提供快速、高精度的纳米级表征,支持广泛的材料类型和高达 300 毫米晶圆的样品尺寸。IconIR300 将专有的光热红外光谱技术与先进的原子力显微镜属性映射技术相结合,实现了对传统技术难度较大的样品的自动晶圆检测和缺陷识别。该系统的结构支持快速化学成像和定量分析,将原子力显微镜-红外功能扩展到新的半导体细分市场和材料。集成的基于配方的自动化测量和强大的数据分析软件简化了工作流程,确保为工艺开发、质量控制和生产环境提供可重复的高通量测量。
全晶片
纳米级化学和材料性能表征
结合红外光谱和原子力显微镜特性图,对 200 毫米和 300 毫米晶片进行高精度、无损测量。
明确
识别有机/无机纳米污染物
通过与傅立叶变换红外图库直接相关的光热 AFM-IR 数据,提高半导体晶片和光掩膜的质量。
自动化
基于配方的测量
提供用户友好的全面数据访问和 KLARF 文件支持。
以下是 Dimension IconIR300 系统提供的功能:
对 200 毫米和 300 毫米晶片进行全晶片无损测量;
明确识别半导体晶片上的有机和无机纳米污染物
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