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生产集成系统 PlasmaPro 100 ICPCVD

生产集成系统 - PlasmaPro 100 ICPCVD - Oxford Instruments/牛津仪器
生产集成系统 - PlasmaPro 100 ICPCVD - Oxford Instruments/牛津仪器
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产品介绍

更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺 高质量薄膜 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 快速更换不同尺寸晶圆 购置成本低且易于维护 紧密的设计，布局灵活 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺 在低温度下沉积低损伤的薄膜 可沉积的典型材料包括： SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC，衬底温度可低至5ºC 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工艺的均匀性 晶圆尺寸高至200mm 电极的温度范围为5ºC至400ºC 已获得专利的ICPCVD气体配送技术 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺 壁部加热减少腔壁沉积 背氦制冷辅以机械压盘确保了均匀的晶圆温度同时优化了薄膜性能

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